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IRFHE4250DTRPBF
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 25 V, 25 V, 303 A, 303 A, 700 µohm
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFHE4250DTRPBF
库存编号2577175RL
也称为SP001564116
技术数据表
晶体管极性N沟道+肖特基
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道25V
电流, Id 连续303A
连续漏极电流 Id N沟道303A
在电阻RDS（上）700µohm
连续漏极电流 Id P沟道303A
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PQFN
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数32引脚
功耗 Pd156W
耗散功率N沟道156W
耗散功率P沟道156W
工作温度最高值150°C
产品范围FastIRFET HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
技术规格
晶体管极性
N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道
25V
电流, Id 连续
303A
在电阻RDS（上）
700µohm
晶体管安装
表面安装
晶体管封装类型
PQFN
针脚数
32引脚
耗散功率N沟道
156W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
303A
连续漏极电流 Id P沟道
303A
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
156W
耗散功率P沟道
156W
产品范围
FastIRFET HEXFET Series
汽车质量标准
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001