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IRLHS6276TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.760 (CNY6.5088) |
| 10+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
| 100+ | CNY2.430 (CNY2.7459) |
| 500+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 1000+ | CNY1.730 (CNY1.9549) |
| 5000+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
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CNY28.80 (CNY32.54 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRLHS6276TRPBF
库存编号2726004
产品范围HEXFET Series
也称为SP001552670
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道3.4A
连续漏极电流 Id P沟道3.4A
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
晶体管封装类型DFN2020
针脚数6引脚
耗散功率N沟道6.6W
耗散功率P沟道6.6W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
3.4A
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
6.6W
产品范围
HEXFET Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.4A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
DFN2020
耗散功率N沟道
6.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000076