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IRLHS6276TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY2.430 (CNY2.7459) |
| 500+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 1000+ | CNY1.730 (CNY1.9549) |
| 5000+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRLHS6276TRPBF
库存编号2726004RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001552670
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续3.4A
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道3.4A
在电阻RDS（上）0.033ohm
连续漏极电流 Id P沟道3.4A
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值800mV
晶体管封装类型DFN2020
针脚数6引脚
功耗 Pd6.6W
耗散功率N沟道6.6W
耗散功率P沟道6.6W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
3.4A
连续漏极电流 Id N沟道
3.4A
连续漏极电流 Id P沟道
3.4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
DFN2020
功耗 Pd
6.6W
耗散功率P沟道
6.6W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.033ohm
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
6.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000076