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IRF530NPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF530NPBF
库存编号8648263
产品范围HEXFET Series
也称为SP001570120
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续17A
漏源接通状态电阻0.09ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散63W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
Infineon公司的IRF530NPBF是一款100V单N沟道HEXFET功率MOSFET, TO-220AB封装. 该MOSFET具有极低的单位面积导通电阻, 动态dv/dt额定值, 坚固耐用, 快速开关, 以及完全雪崩认证. 这些功率MOSFET具有极高的效率和可靠性, 可用于多种应用.
- 漏极至源极电压: 100V
- 栅-源电压：±20V
- Vgs=10V时, 导通电阻Rds (on)为90mohm
- 25°C功率耗散Pd: 70W
- Vgs 10V 25°C时, 连续漏电流Id: 17A
- 工作结温范围: -55°C至175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
17A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
63W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.09ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814