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IRFB4020PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品概述
IRFB4020PBF是一款HEXFET®单N沟道功率MOSFET，利用最新的处理技术实现了单位硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻都得到了优化，以改善关键的D类音频放大器性能因素，如效率、THD和EMI。这种MOSFET的其他特点是175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特点结合在一起，使这种MOSFET成为一种高效、坚固和可靠的器件。在半桥配置放大器中，它可以向8Ω负载提供每通道高达300W的功率。它适用于电池驱动、全桥和推挽式应用。
- 低RDS（ON），提高了效率
- 低Qg和Qsw，以获得更好的THD和改善效率
- 低QRR，以获得更好的THD和更低的EMI
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.1ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4.9V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002826