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IRFR5305TRPBF
功率场效应管, MOSFET, P通道, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, 表面安装
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| 100+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
| 500+ | CNY3.910 (CNY4.4183) |
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| 5000+ | CNY2.970 (CNY3.3561) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFR5305TRPBF
库存编号2097998
也称为SP001557082
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续31A
漏源接通状态电阻0.065ohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散110W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRFR5305TRPBF是一款-55V单P沟道HEXFET®功率MOSFET, 第五代HEXFET采用先进的处理技术, 实现极低的导通电阻。HEXFET®功率MOSFET具有快速开关速度和坚固耐用器件设计, 是一款高效可靠的器件, 可用于各种应用。D-Pak设计适用于表面安装, 兼容气相, 红外线或波峰焊接技术。
- 超低导通电阻
- 先进的工艺技术
- 雪崩级别
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
31A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
110W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.065ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00023