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IRFR9024NTRPBF
功率场效应管, MOSFET, P通道, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, 表面安装
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| 10+ | CNY5.880 (CNY6.6444) |
| 100+ | CNY4.170 (CNY4.7121) |
| 500+ | CNY3.270 (CNY3.6951) |
| 1000+ | CNY2.320 (CNY2.6216) |
| 5000+ | CNY2.280 (CNY2.5764) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFR9024NTRPBF
库存编号2468042
也称为SP001557190
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续11A
漏源接通状态电阻0.175ohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散38W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IRFR9024NTRPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
11A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
38W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.175ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000593