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IXDN75N120
IGBT模块, 单, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品信息
制造商产品编号IXDN75N120
库存编号3438369
技术数据表
IGBT配置单
连续集电极电流150A
集电极-发射极饱和电压2.2V
功率耗散660W
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型SOT-227B
IGBT端接螺柱
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术NPT IGBT [标准]
晶体管安装面板
产品范围Compute Module 3+ Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
IGBT配置
单
集电极-发射极饱和电压
2.2V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
NPT IGBT [标准]
产品范围
Compute Module 3+ Series
连续集电极电流
150A
功率耗散
660W
晶体管封装类型
SOT-227B
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004