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产品概述
The IXFN140N20P is a PolarHT™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- International standard packages
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- Easy to mount
- Space saving
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
200V
晶体管封装类型
ISOTOP
晶体管安装
模块
功率耗散
680W
针脚数
4引脚
湿气敏感性等级
-
电流, Id 连续
140A
漏源接通状态电阻
0.018ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.025528