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IXFN140N30P
晶体管, MOSFET, 极性FET, N通道, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
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产品信息
制造商产品编号IXFN140N30P
库存编号1427320
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续140A
漏源电压, Vds300V
漏源接通状态电阻0.024ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散700W
工作温度最高值150°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
The IXFN140N30P is a Polar™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers and high speed power switching applications.
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
300V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
700W
产品范围
-
电流, Id 连续
140A
漏源接通状态电阻
0.024ohm
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.03