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IXFN180N25T
MOSFET晶体管, N沟道, 168 A, 250 V, 0.0129 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品信息
制造商产品编号IXFN180N25T
库存编号3438386
产品范围GigaMOS
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续168A
漏源电压, Vds250V
漏源接通状态电阻0.0129ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散900W
工作温度最高值150°C
产品范围GigaMOS
SVHC(高度关注物质)No SVHC (12-Jan-2017)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
250V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
900W
产品范围
GigaMOS
电流, Id 连续
168A
漏源接通状态电阻
0.0129ohm
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (12-Jan-2017)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004