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IXFN200N10P

功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N通道, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, ISOTOP, 模块

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N10P
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制造商产品编号:
IXFN200N10P
库存编号
1427322
产品范围
Polar(TM) HiPerFET
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产品范围选择器 (Polar(TM) HiPerFET)

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产品概述

The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
  • Fast intrinsic rectifier
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Easy to mount
  • High power density
  • Space savings

应用

电源管理, 照明

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产品信息

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:
N通道

:
100V

:
200A

:
0.0075ohm

:
ISOTOP

:
模块

:
15V

:
5V

:
680W

:
4引脚

:
175°C

:
Polar(TM) HiPerFET

:
-

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-

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技术文档 (1)

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