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IXFN200N10P
功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N通道, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, ISOTOP, 模块
产品范围选择器 (Polar(TM) HiPerFET)
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The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
应用
电源管理, 照明
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