打印页面
IXFN200N10P
晶体管, MOSFET, 极性FET, N通道, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
661 有货
940 您现在可以预订货品了
661 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY215.880 (CNY243.9444) |
| 5+ | CNY201.560 (CNY227.7628) |
| 10+ | CNY187.230 (CNY211.5699) |
| 50+ | CNY172.910 (CNY195.3883) |
| 100+ | CNY158.580 (CNY179.1954) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY215.88 (CNY243.94 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
100V
晶体管封装类型
ISOTOP
晶体管安装
模块
功率耗散
680W
针脚数
4引脚
湿气敏感性等级
-
电流, Id 连续
200A
漏源接通状态电阻
7500µohm
Rds(on)测试电压
15V
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
产品范围
Polar(TM) HiPerFET
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.03