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IXFN200N10P
晶体管, MOSFET, 极性FET, N通道, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
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产品信息
制造商产品编号IXFN200N10P
库存编号1427322
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续200A
漏源电压, Vds100V
漏源接通状态电阻0.0075ohm
Rds(on)测试电压15V
晶体管封装类型ISOTOP
晶体管安装模块
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散680W
工作温度最高值175°C
针脚数4引脚
产品范围Polar(TM) HiPerFET
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
100V
Rds(on)测试电压
15V
晶体管安装
模块
功率耗散
680W
针脚数
4引脚
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
电流, Id 连续
200A
漏源接通状态电阻
0.0075ohm
晶体管封装类型
ISOTOP
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
产品范围
Polar(TM) HiPerFET
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.03