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产品信息
制造商产品编号IXFN24N100
库存编号4905568
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续24A
漏源电压, Vds1kV
漏源接通状态电阻0.39ohm
晶体管封装类型ISOTOP
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5.5V
晶体管安装模块
功率耗散600W
工作温度最高值150°C
针脚数3引脚
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
The IXFN24N100 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Low RDS (ON) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1kV
晶体管封装类型
ISOTOP
阈值栅源电压最大值
5.5V
功率耗散
600W
针脚数
3引脚
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
电流, Id 连续
24A
漏源接通状态电阻
0.39ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管安装
模块
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.04