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IXFN24N100
晶体管, MOSFET, N通道, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 5+ | CNY485.050 (CNY548.1065) |
| 10+ | CNY401.900 (CNY454.147) |
| 50+ | CNY360.320 (CNY407.1616) |
| 100+ | CNY332.600 (CNY375.838) |
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产品概述
The IXFN24N100 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Low RDS (ON) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1kV
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
5.5V
功率耗散
600W
针脚数
3引脚
湿气敏感性等级
-
电流, Id 连续
24A
漏源接通状态电阻
0.39ohm
晶体管封装类型
ISOTOP
晶体管安装
模块
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.04