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IXTP3N60P
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 3 A, 2.9 ohm, TO-220, 通孔
已停产
产品概述
The IXTP3N60P is a PolarHV™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and low package inductance.
- International standard package
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
70W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
2.9ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.004