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HMF20N65S
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 20 A, 0.5 ohm, TO-220F, 通孔
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产品信息
制造商产品编号HMF20N65S
库存编号4295179
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续20A
漏源接通状态电阻0.5ohm
晶体管封装类型TO-220F
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散65W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Multicomp Pro N Channel MOSFETs
合规-
MSL0
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
产品概述
The HMF20N65S is a high-performance N-channel MOSFET designed for a variety of power switching applications. It offers low on-resistance and rapid switching capabilities, making it well-suited for high-efficiency power conversion. This MOSFET is capable of handling high voltages and currents, ensuring reliable and robust performance in demanding environments. It is ideal for use in power supplies, motor drives, and other high-voltage circuits.
- RDS(ON) = 0.5Ω @ VGS = 10V
- High Switching Speed
- Avalanche Energy Specified
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
TO-220F
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
65W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.5ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
Multicomp Pro N Channel MOSFETs
MSL
0
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002193