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IRLML6401
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 500+ | CNY0.599 (CNY0.6769) |
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产品信息
制造商产品编号IRLML6401
库存编号4655265
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续4.3A
漏源接通状态电阻0.05ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压1.8V
阈值栅源电压最大值950mV
功率耗散1.3W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Multicomp Pro MOSFET Transistros
合规-
MSL0
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
The IRLML6401 is a P-Channel HEXFET® Power MOSFET designed by Infineon (originally International Rectifier). Engineered for space-efficient and low-voltage applications, this MOSFET delivers high performance in compact SOT-23 packaging. Its low R DS(on), fast switching capability, and logic-level gate drive make it ideal for battery-powered and portable applications.
- P-Channel MOSFET (enhancement mode)
- Drain-to-Source Voltage (V DS): –20V
- Gate-to-Source Voltage (V GS): ±8V max
- Continuous Drain Current (I D): –3.7A @ T<sub>A</sub> = 25°C
- R DS(on): 0.055Ω max @ V GS = –4.5V
- Fast switching speed
- Low gate charge (typ. 5.2nC)
- Logic-level gate drive
- Lead-free, RoHS compliant
- Operates with logic-level voltages, making it easy to drive with standard microcontrollers.
- Tiny SOT-23 package saves board space, perfect for densely populated PCBs.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4.3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
1.8V
功率耗散
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
950mV
针脚数
3引脚
产品范围
Multicomp Pro MOSFET Transistros
MSL
0
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.107