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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号2N7002PW,115
库存编号1829184RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续310mA
漏源接通状态电阻1ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.75V
功率耗散200mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The 2N7002PW is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Logic Level Compatible
- Very Fast Switching
- ESD Protection Upto 1.5kV
- AEC-Q101 Qualified
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
310mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
技术文档 (1)
2N7002PW,115 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000454