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2N7002PW,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 50+ | CNY0.463 (CNY0.5232) |
| 100+ | CNY0.370 (CNY0.4181) |
| 500+ | CNY0.237 (CNY0.2678) |
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产品概述
The 2N7002PW is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Logic Level Compatible
- Very Fast Switching
- ESD Protection Upto 1.5kV
- AEC-Q101 Qualified
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
310mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1.6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
2N7002PW,115 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454