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BUK9K29-100E,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK9K29-100E,115
库存编号3439706RL
产品范围TrenchMOS Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
电流, Id 连续30A
在电阻RDS（上）0.0227ohm
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0227ohm
漏源导通电阻P沟道0.0227ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型LFPAK56D
阈值栅源电压最大值1.7V
功耗 Pd68W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道68W
耗散功率P沟道68W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchMOS Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
在电阻RDS（上）
0.0227ohm
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0227ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
68W
产品范围
TrenchMOS Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
电流, Id 连续
30A
连续漏极电流 Id N沟道
30A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0227ohm
晶体管封装类型
LFPAK56D
功耗 Pd
68W
耗散功率N沟道
68W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009072