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PDTD123ET,215
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单个NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PDTD123ET,215
库存编号2464147
技术数据表
晶体管极性单个NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流500mA
连续集电极电流500mA
基极输入电阻 R12.2kohm
基极-发射极电阻R22.2kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
射频晶体管封装SOT-23
晶体管封装类型SOT-23
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散250mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值40hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PDTD123ET,215 is a NPN resistor equipped transistor (RET) encapsulated in a surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with control of IC inputs, cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications and switching load applications.
- 500mA output current capability
- Reduces component count
- ±10% resistor ratio tolerance
注释
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
单个NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
500mA
基极输入电阻 R1
2.2kohm
电阻比 R1/R2
1电阻比率
晶体管封装类型
SOT-23
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
500mA
基极-发射极电阻R2
2.2kohm
射频晶体管封装
SOT-23
引脚数
3引脚
功率耗散
250mW
直流电流增益, Hfe 最小值
40hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001