打印页面
PDTD123ET,215
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单个NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PDTD123ET,215
库存编号2439595
技术数据表
晶体管极性单个NPN
数字晶体管极性单路NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流500mA
集电极发射极电压最大值 PNP-V
连续集电极电流500mA
基极输入电阻 R12.2kohm
基极-发射极电阻R22.2kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
晶体管封装类型SOT-23
射频晶体管封装SOT-23
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散250mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值40hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PDTD123ET,215 is a PNP Resistor Equipped Transistor (RET) encapsulated in a surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with control of IC inputs, cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications and switching load applications.
- 500mA Output current capability
- Reduces component count
- ±10% Resistor ratio tolerance
技术规格
晶体管极性
单个NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
500mA
连续集电极电流
500mA
基极-发射极电阻R2
2.2kohm
晶体管封装类型
SOT-23
引脚数
3引脚
功率耗散
250mW
直流电流增益, Hfe 最小值
40hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-V
基极输入电阻 R1
2.2kohm
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
SOT-23
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001