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PMDPB56XNEAX
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.055 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMDPB56XNEAX
库存编号3440020RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续3.1A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道3.1A
在电阻RDS（上）0.055ohm
连续漏极电流 Id P沟道3.1A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.055ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.055ohm
晶体管封装类型DFN2020D
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd485mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道485mW
耗散功率P沟道485mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
3.1A
连续漏极电流 Id N沟道
3.1A
连续漏极电流 Id P沟道
3.1A
漏源通态电阻N沟道
0.055ohm
漏源导通电阻P沟道
0.055ohm
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
485mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.055ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
DFN2020D
功耗 Pd
485mW
耗散功率N沟道
485mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001