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3.1A 双MOSFET:
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耗散功率P沟道
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汽车质量标准
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.880 (CNY3.2544)500+ CNY2.850 (CNY3.2205)3000+ CNY2.810 (CNY3.1753)9000+ CNY2.770 (CNY3.1301)24000+ CNY2.730 (CNY3.0849)更多价格信息... | 最少：100 / 多个：5 | P沟道 | P通道 | - | 20V | 20V | 3.1A | 0.06ohm | - | 3.1A | - | 表面安装 | 0.06ohm | 1V | µFET | 1V | 8引脚 | 1.4W | - | 1.4W | 150°C | - | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.100 (CNY2.373)500+ CNY1.610 (CNY1.8193)1000+ CNY1.190 (CNY1.3447)5000+ CNY1.060 (CNY1.1978) | 最少：100 / 多个：5 | N沟道 | N通道 | 30V | 30V | 30V | 3.1A | 0.055ohm | 3.1A | 3.1A | 0.055ohm | 表面安装 | 0.055ohm | 4.5V | DFN2020D | 1V | 6引脚 | 485mW | 485mW | 485mW | 150°C | AEC-Q101 | AEC-Q101 | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY5.450 (CNY6.1585)500+ CNY5.120 (CNY5.7856)1000+ CNY4.780 (CNY5.4014)5000+ CNY4.440 (CNY5.0172) | 最少：100 / 多个：1 | 补充双N和双P沟道 | 补充双N和双P沟道 | 60V | 60V | 60V | 3.1A | 0.06ohm | 3.1A | 3.1A | 0.06ohm | 表面安装 | 0.06ohm | 10V | SOIC | 3V | 8引脚 | 1.6W | 1.6W | 1.6W | 150°C | - | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY4.900 (CNY5.537)500+ CNY3.330 (CNY3.7629)1000+ CNY3.570 (CNY4.0341)5000+ CNY3.290 (CNY3.7177) | 最少：100 / 多个：1 | 互补N与P沟道 | 互补N与P沟道 | 60V | 60V | 60V | 3.1A | 0.07ohm | 3.1A | 3.1A | 0.07ohm | 表面安装 | 0.07ohm | 10V | SOIC | 1.6V | 8引脚 | 2W | 2W | 2W | 150°C | AEC-Q101 | AEC-Q101 | |||||
