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PMDT290UNEH
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.38 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.970 (CNY6.7461) |
| 10+ | CNY3.780 (CNY4.2714) |
| 100+ | CNY2.400 (CNY2.712) |
| 500+ | CNY1.770 (CNY2.0001) |
| 1000+ | CNY1.560 (CNY1.7628) |
| 5000+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMDT290UNEH
库存编号3585614
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道800mA
连续漏极电流 Id P沟道800mA
漏源通态电阻N沟道0.38ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-666
针脚数6引脚
耗散功率N沟道500mW
耗散功率P沟道500mW
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
800mA
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
Trench Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
800mA
漏源通态电阻N沟道
0.38ohm
晶体管封装类型
SOT-666
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001