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PMGD290XN,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMGD290XN,115
库存编号1758099RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续200mA
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道200mA
在电阻RDS（上）0.29ohm
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.29ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd410mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道410mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PMGD290XN,115 is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for driver circuits and switching in portable appliances applications. The device offers 40% smaller footprint.
- Fast switching speed
- Low ON-state resistance
- Low threshold voltage
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
200mA
连续漏极电流 Id N沟道
200mA
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.29ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
-
在电阻RDS（上）
0.29ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-363
功耗 Pd
410mW
耗散功率N沟道
410mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006