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PSMN013-100YSEX
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 58 A, 0.011 ohm, SOT-669, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.470 (CNY23.1311) |
| 10+ | CNY14.340 (CNY16.2042) |
| 100+ | CNY11.280 (CNY12.7464) |
| 500+ | CNY7.710 (CNY8.7123) |
| 1000+ | CNY6.180 (CNY6.9834) |
| 5000+ | CNY6.070 (CNY6.8591) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN013-100YSEX
库存编号2281228
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续58A
漏源接通状态电阻0.011ohm
晶体管封装类型SOT-669
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散238W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The PSMN013-100YSE is a N-channel standard level MOSFET offers enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation. The part of NXP's NextPower Live portfolio, PSMN013-100YSE complements the latest hot-swap controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn on, whilst offering a low RDS (ON) characteristic to keep temperatures down and efficiency up in continued use. Ideal for telecommunication systems based on a 48V backplane/supply rail.
- Very low RDS (ON) for low conduction losses
- -55 to 175°C Junction temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
58A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
238W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.011ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145