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PSMN029-100HLX
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0251 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN029-100HLX
库存编号4078665RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
电流, Id 连续30A
漏源电压Vds P沟道100V
在电阻RDS（上）0.0251ohm
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0251ohm
Rds(on)测试电压5V
漏源导通电阻P沟道0.0251ohm
晶体管封装类型LFPAK56D
阈值栅源电压最大值2.1V
针脚数8引脚
功耗 Pd68W
耗散功率N沟道68W
耗散功率P沟道68W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
30A
在电阻RDS（上）
0.0251ohm
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0251ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0251ohm
阈值栅源电压最大值
2.1V
功耗 Pd
68W
耗散功率P沟道
68W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
5V
晶体管封装类型
LFPAK56D
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
68W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272