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PSMN033-100HLX
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN033-100HLX
库存编号4078668RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
电流, Id 连续26A
漏源电压Vds P沟道100V
在电阻RDS（上）0.0256ohm
连续漏极电流 Id N沟道26A
连续漏极电流 Id P沟道26A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.031ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型LFPAK56D
阈值栅源电压最大值2.1V
针脚数8引脚
功耗 Pd64W
耗散功率N沟道64W
耗散功率P沟道64W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
26A
在电阻RDS（上）
0.0256ohm
连续漏极电流 Id P沟道
26A
漏源通态电阻N沟道
0.031ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
2.1V
功耗 Pd
64W
耗散功率P沟道
64W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
26A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
LFPAK56D
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
64W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272