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PSMN038-100HSX
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN038-100HSX
库存编号4078662RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续21.4A
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道21.4A
在电阻RDS（上）0.03ohm
连续漏极电流 Id P沟道21.4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.03ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.03ohm
阈值栅源电压最大值4V
晶体管封装类型LFPAK56D
针脚数8引脚
功耗 Pd53W
耗散功率N沟道53W
耗散功率P沟道53W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
电流, Id 连续
21.4A
连续漏极电流 Id N沟道
21.4A
连续漏极电流 Id P沟道
21.4A
漏源通态电阻N沟道
0.03ohm
漏源导通电阻P沟道
0.03ohm
晶体管封装类型
LFPAK56D
功耗 Pd
53W
耗散功率P沟道
53W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
在电阻RDS（上）
0.03ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
53W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272