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2N7002,215
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.979 (CNY1.1063) |
| 50+ | CNY0.703 (CNY0.7944) |
| 100+ | CNY0.427 (CNY0.4825) |
| 500+ | CNY0.250 (CNY0.2825) |
| 1500+ | CNY0.245 (CNY0.2768) |
| 3000+ | CNY0.234 (CNY0.2644) |
| 7500+ | CNY0.221 (CNY0.2497) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号2N7002,215
库存编号1510761
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续300mA
漏源接通状态电阻2.8ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散830mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
2N7002,215 是采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用表面贴装塑料封装。适用于逻辑电平栅极驱动源和高速线路驱动器。
- 兼容逻辑电平
- 快速开关
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
300mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
2.8ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000046