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2N7002,215
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号2N7002,215
库存编号2315576
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续300mA
漏源接通状态电阻2.8ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散830mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The 2N7002,215 is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in surface mount plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for logic level gate drive sources and high-speed line drivers.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
300mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
2.8ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001