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2N7002P,215
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, 表面安装
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| 100+ | CNY0.376 (CNY0.4249) |
| 500+ | CNY0.287 (CNY0.3243) |
| 1500+ | CNY0.282 (CNY0.3187) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号2N7002P,215
库存编号1859848
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续360mA
漏源接通状态电阻1.6ohm
晶体管封装类型TO-236AB
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.75V
功率耗散420mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
2N7002P, 215是一款N沟道增强型MOSFET, 采用Trench MOSFET技术设计, 小型表面安装塑料封装. 它适用于继电器驱动器, 高速线路驱动器, 低压侧负载开关与开关电路.
- 兼容逻辑电平
- 快速开关
- AEC-Q101 合规
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
360mA
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
420mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1.6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000007