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BSH103,215
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSH103,215
库存编号2336818
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续850mA
漏源接通状态电阻0.4ohm
晶体管封装类型TO-236AB
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值400mV
功率耗散750mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSH103,215 is a N-channel enhancement-mode MOS Transistor in a surface-mount package. It is suitable for use in DC-to-DC converters, battery powered applications, Glue-logic - interface between logic blocks and/or periphery and general purpose switch applications.
- Very low threshold
- High-speed switching
- No secondary breakdown
- Direct interface to C-MOS, TTL
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
850mA
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
750mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.4ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.099