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BSH103,215
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSH103,215
库存编号1081307
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续850mA
漏源接通状态电阻0.4ohm
晶体管封装类型TO-236AB
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值400mV
功率耗散750mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSH103 from NXP is a surface mount, N channel enhancement mode MOS transistor in SOT-23 package using TrenchMOS technology. This transistor features very low threshold, high speed switching, no secondary breakdown and direct interface to CMOS, TTL. BSH103 is designed and qualified for use in high frequency applications, glue logic interface between logic blocks or periphery, computing, battery powered applications.
- Suitable for use with all 5V logic families
- Suitable for very low gate drive sources
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage of ±8V
- Drain current (Id) of 850mA
- Power dissipation (Pd) of 750mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
850mA
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
750mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.4ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033