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BSS123,215
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSS123,215
库存编号2319393
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续150mA
漏源接通状态电阻6ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散250mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSS123,215 is a N-channel enhancement-mode logic level FET in a plastic package using TrenchMOS® technology. It is designed and qualified for use in relay driver, high-speed line driver and telephone ringer applications.
- Saves PCB space due to small footprint
- Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics
- Suitable for logic level gate drive sources
- Extremely fast switching
- Subminiature surface-mount package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
150mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002