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BSS123,215
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 50+ | CNY0.873 (CNY0.9865) |
| 100+ | CNY0.666 (CNY0.7526) |
| 500+ | CNY0.357 (CNY0.4034) |
| 1500+ | CNY0.351 (CNY0.3966) |
| 3000+ | CNY0.333 (CNY0.3763) |
| 7500+ | CNY0.316 (CNY0.3571) |
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产品概述
NXP公司的BSS123是一款表面安装N沟道增强模式场效应晶体管, 采用TrenchMOS技术, SOT-23封装. 该晶体管具有非常高的开关速度, 并且兼容逻辑电平. BS123适用于高速线路驱动器, 电话振铃与继电器驱动器.
- 漏-源电压(Vds): 100V
- 栅-源电压: ±20V
- 连续漏极电流(ld): 150mA
- 功耗 (Pd)为250mW
- 工作结温范围: -55°C至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
150mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001