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PMF170XP,115
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 10+ | CNY1.520 (CNY1.7176) |
| 100+ | CNY0.964 (CNY1.0893) |
| 500+ | CNY0.576 (CNY0.6509) |
| 1000+ | CNY0.466 (CNY0.5266) |
| 5000+ | CNY0.355 (CNY0.4012) |
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产品概述
PMF170XP,115 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, high-side load switch, and switching circuits.
- Low RDSon, very fast switching
- Drain-source breakdown voltage is -20V min at ID=-250µA; VGS=0V; Tj=25°C
- Gate-source threshold voltage is -0.9V typ at ID=-250µA; VDS=VGS; Tj=25°C
- Drain-source on-state resistance is 175mohm typ at VGS=-4.5V; ID=-1A; Tj=25°C
- Total gate charge is 2.6nC typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;Tj=25°C
- Source-drain voltage is -0.7V min at IS=-0.4A; VGS=0V; Tj=25°C
- Rise time is 16ns typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;RG(ext)=6ohm; Tj=25°C
- Fall time is 13ns typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;RG(ext)=6ohm; Tj=25°C
- Output capacitance is 43pF typ at VDS=-10V; f=1MHz; VGS=0V;Tj= 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
290mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000198