打印页面
BSS138LT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, 表面安装
508,450 有货
需要更多？
6600 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
325070 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
176780 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
| 10+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
| 100+ | CNY0.546 (CNY0.617) |
| 500+ | CNY0.531 (CNY0.600) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY9.75 (CNY11.02 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BSS138LT1G
库存编号1431319
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻3.5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散225mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
BSS138LT1G from On Semiconductor is surface mount, 50V N channel power MOSFET in SOT-23 package. Features low threshold voltage, ideal for low voltage applications. Typical applications include DC-DC converters, power management in portable and battery powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Drain to source voltage (Vds) of 50V
- Gate to source voltage of ± 20V
- Continuous drain current (Id) of 200mA
- Power dissipation (pd) of 225mW
- Operating temperature range -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs of 5V
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
225mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
3.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
BSS138LT1G 的替代之选
找到 8 件产品
相关产品
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008