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BSS138LT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BSS138LT1G
库存编号1431319RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻3.5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散225mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
BSS138LT1G from On Semiconductor is surface mount, 50V N channel power MOSFET in SOT-23 package. Features low threshold voltage, ideal for low voltage applications. Typical applications include DC-DC converters, power management in portable and battery powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Drain to source voltage (Vds) of 50V
- Gate to source voltage of ± 20V
- Continuous drain current (Id) of 200mA
- Power dissipation (pd) of 225mW
- Operating temperature range -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs of 5V
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
225mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
3.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008