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EFC8811R-TF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A, 0.0023 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 10+ | CNY4.530 (CNY5.1189) |
| 100+ | CNY3.900 (CNY4.407) |
| 500+ | CNY3.760 (CNY4.2488) |
| 5000+ | CNY3.620 (CNY4.0906) |
| 15000+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 40000+ | CNY3.330 (CNY3.7629) |
| 75000+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号EFC8811R-TF
库存编号2706277
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道27A
连续漏极电流 Id P沟道27A
漏源通态电阻N沟道0.0023ohm
漏源导通电阻P沟道0.0023ohm
晶体管封装类型CSP
针脚数6引脚
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
27A
漏源导通电阻P沟道
0.0023ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
-
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
27A
漏源通态电阻N沟道
0.0023ohm
晶体管封装类型
CSP
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001