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FCMT299N60
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 12 A, 0.25 ohm, PQFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY34.360 (CNY38.8268) |
| 10+ | CNY24.940 (CNY28.1822) |
| 100+ | CNY18.080 (CNY20.4304) |
| 500+ | CNY15.920 (CNY17.9896) |
| 3000+ | CNY15.670 (CNY17.7071) |
| 6000+ | CNY15.420 (CNY17.4246) |
| 9000+ | CNY15.160 (CNY17.1308) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCMT299N60
库存编号3018889
产品范围SuperFET II
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.25ohm
晶体管封装类型PQFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散125W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SuperFET II
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PQFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
4引脚
产品范围
SuperFET II
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008