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FCMT299N60
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 12 A, 0.25 ohm, PQFN, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCMT299N60
库存编号3018889RL
产品范围SuperFET II
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.25ohm
晶体管封装类型PQFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散125W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SuperFET II
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PQFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
4引脚
产品范围
SuperFET II
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008