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FDC6312P
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 2.3 A
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6312P
库存编号1700713
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道2.3A
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.115ohm
晶体管封装类型SuperSOT
针脚数6引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道960mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDC6312P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
- ±8V Gate to source voltage
- -2.3A Continuous drain/output current
- 7A Pulsed drain/output current
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
2.3A
漏源导通电阻P沟道
0.115ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SuperSOT
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
FDC6312P 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002