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FDMA1029PZ
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 3.1 A
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 500+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
| 3000+ | CNY2.810 (CNY3.1753) |
| 9000+ | CNY2.770 (CNY3.1301) |
| 24000+ | CNY2.730 (CNY3.0849) |
| 45000+ | CNY2.690 (CNY3.0397) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMA1029PZ
库存编号1324790RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续3.1A
连续漏极电流 Id N沟道-
在电阻RDS（上）0.06ohm
连续漏极电流 Id P沟道3.1A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压1V
漏源导通电阻P沟道0.06ohm
晶体管封装类型µFET
阈值栅源电压最大值1V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.4W
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDMA1029PZ 是一款双P沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于手机或其他便携式应用, 可用作电池充电开关解决方案。带有2个独立的P沟道MOSFET, 具有低导通状态电阻, 确保导通损耗非常低。如果连接公共电源, 允许双向电流。MicroFET采用薄型封装设计, 物理尺寸非常小, 同时具有出色的散热性能, 非常适合线性模式应用。
- 薄型
- 无卤素
- ±12V栅-源电压
- -3.1A连续漏电流
- 6A脉冲漏电流
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
-
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
3.1A
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.06ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
1.4W
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
3.1A
在电阻RDS（上）
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
1V
晶体管封装类型
µFET
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005