打印页面
FDMQ8205A
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
4,340 有货
需要更多？
4340 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY31.220 (CNY35.2786) |
| 10+ | CNY21.210 (CNY23.9673) |
| 100+ | CNY15.020 (CNY16.9726) |
| 500+ | CNY14.280 (CNY16.1364) |
| 3000+ | CNY13.530 (CNY15.2889) |
| 6000+ | CNY12.790 (CNY14.4527) |
| 9000+ | CNY12.360 (CNY13.9668) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY31.22 (CNY35.28 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMQ8205A
库存编号2992338
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型MLP
针脚数12引脚
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围GreenBridge 2 Series
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
GreenBridge 2 Series
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
MLP
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002