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FDMQ8205A
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 500+ | CNY14.280 (CNY16.1364) |
| 3000+ | CNY13.530 (CNY15.2889) |
| 6000+ | CNY12.790 (CNY14.4527) |
| 9000+ | CNY12.360 (CNY13.9668) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMQ8205A
库存编号2992338RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds-
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道-
电流, Id 连续-
在电阻RDS（上）-
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压-
晶体管封装类型MLP
阈值栅源电压最大值-
针脚数12引脚
功耗 Pd2.5W
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围GreenBridge 2 Series
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
-
漏源电压Vds P沟道
-
在电阻RDS（上）
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
Rds(on)测试电压
-
阈值栅源电压最大值
-
功耗 Pd
2.5W
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
GreenBridge 2 Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
-
电流, Id 连续
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
MLP
针脚数
12引脚
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002