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FDMQ86530L
双路场效应管, MOSFET, 四N通道, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
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| 100+ | CNY12.970 (CNY14.6561) |
| 500+ | CNY12.200 (CNY13.786) |
| 3000+ | CNY11.440 (CNY12.9272) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMQ86530L
库存编号2825170
技术数据表
通道类型四N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
漏源通态电阻N沟道0.0175ohm
漏源导通电阻P沟道0.0175ohm
晶体管封装类型WDFN
针脚数12引脚
耗散功率N沟道1.9W
耗散功率P沟道1.9W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
四N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源导通电阻P沟道
0.0175ohm
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
1.9W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.0175ohm
晶体管封装类型
WDFN
耗散功率N沟道
1.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004