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FDMQ86530L
双路场效应管, MOSFET, 四N通道, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMQ86530L
库存编号2825170RL
技术数据表
晶体管极性四N通道
通道类型四N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续8A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.0175ohm
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0175ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0175ohm
晶体管封装类型WDFN
阈值栅源电压最大值1.8V
针脚数12引脚
功耗 Pd1.9W
耗散功率N沟道1.9W
耗散功率P沟道1.9W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
四N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
8A
在电阻RDS（上）
0.0175ohm
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.0175ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0175ohm
阈值栅源电压最大值
1.8V
功耗 Pd
1.9W
耗散功率P沟道
1.9W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
四N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
WDFN
针脚数
12引脚
耗散功率N沟道
1.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004