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FDPC5018SG
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY15.670 (CNY17.7071) |
| 50+ | CNY10.840 (CNY12.2492) |
| 100+ | CNY8.250 (CNY9.3225) |
| 500+ | CNY6.580 (CNY7.4354) |
| 1500+ | CNY6.420 (CNY7.2546) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDPC5018SG
库存编号3003960
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道109A
连续漏极电流 Id P沟道109A
漏源通态电阻N沟道0.0014ohm
漏源导通电阻P沟道0.0014ohm
晶体管封装类型PQFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道29W
耗散功率P沟道29W
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
109A
漏源导通电阻P沟道
0.0014ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
29W
产品范围
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
109A
漏源通态电阻N沟道
0.0014ohm
晶体管封装类型
PQFN
耗散功率N沟道
29W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005