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FDPC5018SG
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDPC5018SG
库存编号3003960RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续109A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道109A
在电阻RDS（上）0.0014ohm
连续漏极电流 Id P沟道109A
漏源通态电阻N沟道0.0014ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.0014ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
晶体管封装类型PQFN
针脚数8引脚
功耗 Pd29W
耗散功率N沟道29W
耗散功率P沟道29W
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
109A
连续漏极电流 Id N沟道
109A
连续漏极电流 Id P沟道
109A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PQFN
功耗 Pd
29W
耗散功率P沟道
29W
产品范围
PowerTrench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.0014ohm
漏源通态电阻N沟道
0.0014ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0014ohm
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
29W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005